Zitat von 1chriss3 im Beitrag #78Aufgabe 3.2 "Der MOSFET -T6 steuert nicht durch. Eine Messung ergab, dass am Gate eine Spannung von UGS = 0,7 V anliegt. Welche Folgerung leiten Sie daraus ab?"
Kann mir da jemand vielleicht einen Tipp geben ?
Das steht alles schon im Text, Schau dir das Symbol des Fet's an (Schaltplan), dann UGS = 0,7V ist der zweite Hinweis. Beachte den Unterschied zwischen FET und Bipolar Transistor.(Funktion der Steuerung, Gate & Basis) ein Tipp noch: wie ist die Pinbelegung des FET's
Wenn der MOSFET verpolt ist, würden sich einfach Gate und Source vertauschen... Somit liegt die Drain-Source Diode zwischen dem ursprünglichen "Gate" und "Drain".
Dann wäre ja nur die Antwort mit der Z-Diode richtig oder verstehe ich da was falsch??
Zitat von 1chriss3 im Beitrag #78Aufgabe 3.2 "Der MOSFET -T6 steuert nicht durch. Eine Messung ergab, dass am Gate eine Spannung von UGS = 0,7 V anliegt. Welche Folgerung leiten Sie daraus ab?"
Kann mir da jemand vielleicht einen Tipp geben ?
Das steht alles schon im Text, Schau dir das Symbol des Fet's an (Schaltplan), dann UGS = 0,7V ist der zweite Hinweis. Beachte den Unterschied zwischen FET und Bipolar Transistor.(Funktion der Steuerung, Gate & Basis) ein Tipp noch: wie ist die Pinbelegung des FET's
Wenn der MOSFET verpolt ist, würden sich einfach Gate und Source vertauschen... Somit liegt die Drain-Source Diode zwischen dem ursprünglichen "Gate" und "Drain".
Dann wäre ja nur die Antwort mit der Z-Diode richtig oder verstehe ich da was falsch??
Dann stelle ich einmal die Frage, in welcher Richtung die Z-Diode eigentlich betrieben wird? Die Bilder wurden sicherlich betrachtet, dort konnten keine 0,7V an der Z-Diode gemessen werden! Den Messaufbau werde ich nicht nochmal aufbauen, um den MCP nicht zuzerstören.
Die Schlussfolgerung liegt letztendlich bei euch, die Bilder dienen nur als praktischer Beweis das keine direkten 0,7V Messbar sind, sondern 1,03V abfallen.
Vielleicht ist ja auch die Antwort, von Gogi2411 in dem Beitrag #90 richtig?
Bisher sind mir nur zwei Zerstörungsarten von Fet's unter die Hände gekommen. 1. Variante die interne Diode des FET's hatte eine Siliziumschmelze und wurde leitend (Null-Durchgang zwischen D & S). 2. Variante der FET wurde komplett Zerstört (Kein Durchgang mehr messbar), das konnte man von außen auch sehen das Teile des Gehäuses weggesprengt wurden.
Ich habe beide Antworten geschrieben weil ich in beiden fällen keine 0,7V gemessen habe, aber wir haben 2 Dioden die diesen Spannungsabfall verursachen können. Ich habe meine praktische Prüfung mit 96% bestanden. Ich glaube nicht dass der falsche antwort auf diese frage euch viele Punkte kosten wird.
Mir fällt da noch ein Beispiel ein, Was wäre, wenn die Bauelemente vorher nicht sorgfältig geprüft wurden und anstelle der Z-Diode eine Si-Diode verbaut ist? Denn Dioden mit einem Spannungsabfall von 0,7V im DO-35 Gehäuse gibt es reichlich.
Zitat von EGS13/16 im Beitrag #108Mir fällt da noch ein Beispiel ein, Was wäre, wenn die Bauelemente vorher nicht sorgfältig geprüft wurden und anstelle der Z-Diode eine Si-Diode verbaut ist? Denn Dioden mit einem Spannungsabfall von 0,7V im DO-35 Gehäuse gibt es reichlich.
Da müssen 2 dinge passieren: falsches Bauteil und falsche bestückung. Ich glaube nicht dass das warscheinlich ist...
Zitat von EGS13/16 im Beitrag #108Mir fällt da noch ein Beispiel ein, Was wäre, wenn die Bauelemente vorher nicht sorgfältig geprüft wurden und anstelle der Z-Diode eine Si-Diode verbaut ist? Denn Dioden mit einem Spannungsabfall von 0,7V im DO-35 Gehäuse gibt es reichlich.
Da müssen 2 dinge passieren: falsches Bauteil und falsche bestückung. Ich glaube nicht dass das warscheinlich ist...
Das Bsp. bezieht sich auf Prototyping (eine LP) mit Bauelementen aus dem Lager (Fehlgriff oder falsch einsortiert) und keiner Massenproduktion.
Zitat von EGS13/16 im Beitrag #108Mir fällt da noch ein Beispiel ein, Was wäre, wenn die Bauelemente vorher nicht sorgfältig geprüft wurden und anstelle der Z-Diode eine Si-Diode verbaut ist? Denn Dioden mit einem Spannungsabfall von 0,7V im DO-35 Gehäuse gibt es reichlich.
Da müssen 2 dinge passieren: falsches Bauteil und falsche bestückung. Ich glaube nicht dass das warscheinlich ist...
Das Bsp. bezieht sich auf Prototyping (eine LP) mit Bauelementen aus dem Lager (Fehlgriff oder falsch einsortiert) und keiner Massenproduktion.
Sicher ist es möglich, nur ich glaube das sie anderen fälle warscheinlicher sind. Wie es auch sein mag, die Prüfer wollen eine meinung haben die kompetenz in dem Feld zeigt und deswegen glaube ich dass die 2 Antworten punkte bringen werden. Hauptsache mann kann es nachvollziehen.
Ja und genau da liegt mein Problem, Bei dieser schwammigen Frage (Seite 15, Aufg. 3.2) ohne den Fehler auf der LP jemals gesehen zuhaben, eine bzw. die richtige Antwort zufinden. Deshalb versuche ich auch mehere Beispiele aufzuführen die eine Möglichkeikt darstellen können, ob die richtige Antwort dabei ist kann ich auch nicht sagen. Lediglich soll die Anregung gegeben werden, sinnvoll den Fehler selbst zufinden.
Zitat von Gogi2411 im Beitrag #101Hatte die Prüfung Gestern. Die war sehr einfach.
Also ich weis ja nicht ob wir die selbe Aufgabenstellung hatten, aber die Prüfung war ja nen absoluter fail! 3 Aufgaben mussten während der Prüfung geändert werden da sie falsch gestellt waren und die Messungen bis aufs oszilloskopieren haben absolut keinen Sinn ergeben. Bin ich froh das ich das hinter mir hab und nichts mehr mit der IHK zu tun haben muss. Jetzt viel weiterlernen und ab zum Techniker
Zitat von Gogi2411 im Beitrag #101Hatte die Prüfung Gestern. Die war sehr einfach.
Also ich weis ja nicht ob wir die selbe Aufgabenstellung hatten, aber die Prüfung war ja nen absoluter fail! 3 Aufgaben mussten während der Prüfung geändert werden da sie falsch gestellt waren und die Messungen bis aufs oszilloskopieren haben absolut keinen Sinn ergeben. Bin ich froh das ich das hinter mir hab und nichts mehr mit der IHK zu tun haben muss. Jetzt viel weiterlernen und ab zum Techniker
Bei mir in der Prüfung waren Fragen über RS232, ein paar rechenaufgaben (Leiterbahnbreite, Frequenz/Tastgrad, Widerstandswert)
Die Messungen waren alle easy, nur die 4 Signale (U, V, W, EXT Trigger) musste ich mit einem 2 Kanal Oskar mesen und darstellen - fand ich nicht schwer aber umständlich
Am Ende die 2 Nichtinvertierende OPV layouten und bestücken - Prüfung fertig
Bei mir in der Prüfung waren Fragen über RS232, ein paar rechenaufgaben (Leiterbahnbreite, Frequenz/Tastgrad, Widerstandswert)
Die Messungen waren alle easy, nur die 4 Signale (U, V, W, EXT Trigger) musste ich mit einem 2 Kanal Oskar mesen und darstellen - fand ich nicht schwer aber umständlich
Am Ende die 2 Nichtinvertierende OPV layouten und bestücken - Prüfung fertig
Glückwunsch für bestandene Prüfung
Etwas zur Leiterbahnbreite, da gab es einen Faktor von 1,4 wenn ich mich nicht irre?
Das gilt aber nur bei einer Schichtstärke von 0,35µm und max. 2Ampere.
LB-Breite * 1,4 = Ampere, als Bsp.: 0,6mm*1,4 = 0,84A
Von mir auch, an allen die die Prüfung bestanden haben meinen Glückwunsch.
Zwei nicht Inv.-Verstärker ??? Ich bin von einem U-I-Umsetzer als Layoutlösung ausgegangen. (Die IHK hat schon komische Lösungen zur Strommessung. )
Dafür hätte wahrscheinlich auch ein LM393 ausgereicht, denn der ist billiger als der LM6142 ? Vorallem wundere ich mich das ein spezieller OPV ausgesucht wird, der als U-I oder I-U-Umsetzer verwendet werden kann laut Datenbl. und dann sowas? (ratlosigkeit)
EGS - Elektroniker für Geräte & Systeme
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Abschlussprüfung Teil 2 Sommer 2019
06.06.2019 19:38 (zuletzt bearbeitet: 06.06.2019 19:48)
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